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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | N and P-Channel Complementary |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 30V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 590mA (Ta), 410mA (Ta) |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V |
| vgs(th) (最大) @ id | 950mV @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V |
| パワー - 最大 | 285mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 6-XFDFN Exposed Pad |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DFN1010B-6 |
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