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PSMN1R3-30YL,115

PSMN1R3-30YL,115

PSMN1R3-30YL,115

Nexperia USA Inc.

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

非準拠

PSMN1R3-30YL,115 価格と注文

単価 外貨価格
1,500 $0.73953 -
3,000 $0.69023 -
7,500 $0.65572 -
10,500 $0.63107 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.15V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6227 pF @ 12 V
FET機能 -
消費電力(最大) 121W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ LFPAK56; Power-SO8
パッケージ/ケース SOT-1023, 4-LFPAK
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