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A2G35S200-01SR3

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A2G35S200-01SR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

非準拠

A2G35S200-01SR3 価格と注文

単価 外貨価格
250 $123.43584 $30858.96
160 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
トランジスタタイプ GaN HEMT
頻度 3.4GHz ~ 3.6GHz
16.1dB
電圧 - テスト 48 V
電流定格(アンペア) -
ノイズ指数 -
現在のテスト 291 mA
電力 - 出力 180W
電圧 - 定格 125 V
パッケージ/ケース NI-400S-2S
サプライヤーデバイスパッケージ NI-400S-2S
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関連部品番号

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