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BUK661R6-30C118

BUK661R6-30C118

BUK661R6-30C118

NXP USA Inc.

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

BUK661R6-30C118 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.81000 $0.81
500 $0.8019 $400.95
1000 $0.7938 $793.8
1500 $0.7857 $1178.55
2000 $0.7776 $1555.2
2500 $0.7695 $1923.75
3481 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.8V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 229 nC @ 10 V
vgs (最大) ±16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 14964 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 306W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

DMP22D6UT-7
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FQB19N20CTM
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SIHW47N60EF-GE3
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