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BUK662R7-55C,118

BUK662R7-55C,118

BUK662R7-55C,118

NXP USA Inc.

PFET, 120A I(D), 55V, 0.0044OHM,

compliant

BUK662R7-55C,118 価格と注文

単価 外貨価格
800 $1.31254 $1050.032
1,600 $1.20454 -
2,400 $1.12147 -
5,600 $1.07994 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 55 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.8V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 258 nC @ 10 V
vgs (最大) ±16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 15300 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 306W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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