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BUK6E4R0-75C,127

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BUK6E4R0-75C,127

NXP Semiconductors

NEXPERIA BUK6E4R0-75C - 120A, 75

非準拠

BUK6E4R0-75C,127 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.02000 $1.02
500 $1.0098 $504.9
1000 $0.9996 $999.6
1500 $0.9894 $1484.1
2000 $0.9792 $1958.4
2500 $0.969 $2422.5
19992 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 75 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.8V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 234 nC @ 10 V
vgs (最大) ±16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 15450 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 306W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ I2PAK
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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関連部品番号

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RM5N800IP
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BUK962R5-60E,118
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