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BUK7E3R1-40E,127-NXP

BUK7E3R1-40E,127-NXP

BUK7E3R1-40E,127-NXP

NXP USA Inc.

PFET, 100A I(D), 40V, 0.0031OHM,

compliant

BUK7E3R1-40E,127-NXP 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 79 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6200 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 234W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ I2PAK
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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