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NX2020P1115

NX2020P1115

NX2020P1115

NXP USA Inc.

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

compliant

NX2020P1115 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.07000 $0.07
500 $0.0693 $34.65
1000 $0.0686 $68.6
1500 $0.0679 $101.85
2000 $0.0672 $134.4
2500 $0.0665 $166.25
262000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ -
テクノロジー -
ドレイン-ソース電圧 (vdss) -
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c -
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs -
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -
取り付けタイプ -
サプライヤーデバイスパッケージ -
パッケージ/ケース -
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関連部品番号

SQR40030ER_GE3
SQR40030ER_GE3
$0 $/ピース
RJK2017DPE-WS#J3
IXFQ8N85X
IXFQ8N85X
$0 $/ピース
IRFR220TRPBF-BE3
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$0 $/ピース
IPTG018N10NM5ATMA1
NVMYS003N08LHTWG
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$0 $/ピース
IPF049N10NF2SATMA1
C3M0075120D-A
C3M0075120D-A
$0 $/ピース
DMN3016LFDF-7-90
RJK03K6DPA-00#J5A

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