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PH6530AL115

PH6530AL115

PH6530AL115

NXP USA Inc.

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

非準拠

PH6530AL115 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.18000 $0.18
500 $0.1782 $89.1
1000 $0.1764 $176.4
1500 $0.1746 $261.9
2000 $0.1728 $345.6
2500 $0.171 $427.5
4500 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c -
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs -
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ LFPAK56, Power-SO8
パッケージ/ケース SC-100, SOT-669
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関連部品番号

AONS36314
IMZ120R045M1XKSA1
FDH44N50
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$0 $/ピース
STWA65N60DM6
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$0 $/ピース
FKP202
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$0 $/ピース
PSMNR90-40SSHJ
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$0 $/ピース
IRF9520PBF-BE3
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$0 $/ピース
IXFA60N25X3
IXFA60N25X3
$0 $/ピース
RM80N100T2
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$0 $/ピース
FDU6676AS
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$0 $/ピース

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