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PHB20N06T,118

PHB20N06T,118

PHB20N06T,118

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK

非準拠

PHB20N06T,118 価格と注文

単価 外貨価格
800 $0.38269 $306.152
1,600 $0.34989 -
2,400 $0.31709 -
5,600 $0.29522 -
20,000 $0.28428 -
5428 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 55 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20.3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 75mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 483 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 62W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

IXTA1R6N100D2-TRL
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BUK624R5-30C
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$0 $/ピース
PMN30UNX
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MMSF7N03HDR2
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$0 $/ピース
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NTPF110N65S3HF
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