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PHD21N06LT,118

PHD21N06LT,118

PHD21N06LT,118

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

compliant

PHD21N06LT,118 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 55 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 19A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 70mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9.4 nC @ 5 V
vgs (最大) ±15V
入力容量(ciss)(最大)@vds 650 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 56W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DPAK
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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RRS075P03TB1
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NTMS5835NLR2G
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IRF7828PBF
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NVD5865NLT4G
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NVMFS5C646NLT1G
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$0 $/ピース

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