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2N7000TA

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

2N7000TA データシート

非準拠

2N7000TA 価格と注文

単価 外貨価格
2,000 $0.09069 -
6,000 $0.08197 -
10,000 $0.07326 -
50,000 $0.06150 -
100,000 $0.06019 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 200mA (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 50 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 400mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-92-3
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
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関連部品番号

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PXN6R7-30QLJ
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SIDR5102EP-T1-RE3
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SQ4850EY-T1_BE3
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SUD15N15-95-E3
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SI4850EY-T1-GE3
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