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2SJ632-M-TD-E

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onsemi

2SJ632 - P-CHANNEL SILICON MOSFE

compliant

2SJ632-M-TD-E 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.31000 $0.31
500 $0.3069 $153.45
1000 $0.3038 $303.8
1500 $0.3007 $451.05
2000 $0.2976 $595.2
2500 $0.2945 $736.25
47000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ -
テクノロジー -
ドレイン-ソース電圧 (vdss) -
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c -
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs -
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -
取り付けタイプ -
サプライヤーデバイスパッケージ -
パッケージ/ケース -
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関連部品番号

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SIHFR9220-GE3
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BSS84WAHZGT106
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G48N03D3
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NDCTR30120A
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NVMFWS016N10MCLT1G
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FDP5500
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2SJ358(0)-T1-AY
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