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BSS123LT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

compliant

BSS123LT1G 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.05266 -
6,000 $0.04603 -
15,000 $0.03940 -
30,000 $0.03719 -
75,000 $0.03497 -
150,000 $0.03055 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 170mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.6V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 20 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 225mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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