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EFC6601R-A-TR

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onsemi

MOSFET 2N-CH EFCP

非準拠

EFC6601R-A-TR 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 Logic Level Gate, 2.5V Drive
ドレイン-ソース電圧 (vdss) -
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c -
rds オン (最大) @ id、vgs -
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 48nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 2W
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-XFBGA, FCBGA
サプライヤーデバイスパッケージ EFCP2718-6CE-020
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関連部品番号

BSL308CL6327HTSA1
SI7964DP-T1-GE3
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FW344A-TL-2W
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2N7002DW-7
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FDMS3602S
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MVDF2C03HDR2G
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SI7940DP-T1-E3
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STS8DNH3LL
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MCH6664-TL-W
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