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FCD1300N80Z

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

非準拠

FCD1300N80Z 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.81468 -
5,000 $0.77619 -
12,500 $0.74870 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 400µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 880 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 52W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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