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FCD4N60TM

FCD4N60TM

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

FCD4N60TM データシート

compliant

FCD4N60TM 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.60000 -
5,000 $0.57166 -
12,500 $0.55141 -
4337 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 16.6 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 540 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 50W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

CSD19505KTT
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$0 $/ピース
2SJ557-T1B-A
SUD19N20-90-T4-E3
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FDH210N08
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FQB3N30TM
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SIHG70N60EF-GE3
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STP5NK100Z
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