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FCD850N80Z

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

compliant

FCD850N80Z 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.70514 -
5,000 $0.67183 -
12,500 $0.64804 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 600µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1315 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 75W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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FQP2P40-F080
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DMN6040SK3-13
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FQD4P40TM
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BUK625R2-30C,118
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