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FCH077N65F-F085

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onsemi

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

非準拠

FCH077N65F-F085 価格と注文

単価 外貨価格
450 $6.96898 $3136.041
20242 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 54A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 77mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 164 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7162 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 481W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247-3
パッケージ/ケース TO-247-3
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関連部品番号

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