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FDB3502

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onsemi

MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB

FDB3502 データシート

非準拠

FDB3502 価格と注文

単価 外貨価格
800 $0.66540 $532.32
1,600 $0.60126 -
2,400 $0.56118 -
5,600 $0.53312 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 75 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Ta), 14A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 47mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 815 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta), 41W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

SI7149ADP-T1-GE3
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NTMFS4C08NAT1G
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STH260N6F6-2
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