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FDB86102LZ

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263

compliant

FDB86102LZ 価格と注文

単価 外貨価格
800 $0.88136 $705.088
1,600 $0.80040 -
2,400 $0.74980 -
5,600 $0.71438 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8.3A (Ta), 30A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 24mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1275 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

IRFSL7434PBF
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$0 $/ピース
UPA2760T1A-E1-AT
IPAN60R180P7SXKSA1
IXTP8N70X2
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$0 $/ピース
PJQ4441P-AU_R2_000A1
IPD60R385CPATMA1
AO6402A
DMTH3004LK3-13
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$0 $/ピース
PML340SN,118
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$0 $/ピース
IPB160N04S203ATMA4

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