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FDB8860

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB

FDB8860 データシート

compliant

FDB8860 価格と注文

単価 外貨価格
800 $1.72381 $1379.048
1,600 $1.58896 -
2,400 $1.48523 -
5,600 $1.43336 -
93 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 214 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 12585 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 254W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

AO4482
IRFR120PBF
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IXTH75N10L2
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IXTP36P15P
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$0 $/ピース
PSMN011-60MLX
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IRFR430BTM
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CSD16570Q5BT
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SQJ461EP-T2_GE3
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