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FDB8874

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB

FDB8874 データシート

compliant

FDB8874 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 21A (Ta), 121A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.7mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3130 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 110W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

STP90N55F4
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$0 $/ピース
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IRF2907ZSPBF
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IRFS17N20DTRR
IRLU014
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2N7002WKX-13
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NDFPD1N150CG
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$0 $/ピース

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