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FDC2612

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6

FDC2612 データシート

compliant

FDC2612 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.36940 -
6,000 $0.34393 -
15,000 $0.33119 -
30,000 $0.32424 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.1A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 725mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 234 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.6W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SuperSOT™-6
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

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NVMFS5C645NLAFT1G
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IXFB110N60P3
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NTLUS020N03CTAG
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