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FDC6312P

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onsemi

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6

FDC6312P データシート

compliant

FDC6312P 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.15839 -
6,000 $0.14818 -
15,000 $0.13796 -
30,000 $0.13080 -
75,000 $0.13006 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.3A
rds オン (最大) @ id、vgs 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 467pF @ 10V
パワー - 最大 700mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ SuperSOT™-6
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関連部品番号

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AUIRF7343QTR
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PMDPB85UPE,115
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