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FDC6506P

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onsemi

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6

FDC6506P データシート

非準拠

FDC6506P 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.24212 -
6,000 $0.22542 -
15,000 $0.21707 -
30,000 $0.21252 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.8A
rds オン (最大) @ id、vgs 170mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 3.5nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 190pF @ 15V
パワー - 最大 700mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ SuperSOT™-6
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関連部品番号

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SI3951DV-T1-GE3
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