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FDC855N

FDC855N

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6

FDC855N データシート

compliant

FDC855N 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.23563 -
6,000 $0.22043 -
15,000 $0.20523 -
30,000 $0.19459 -
6407 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.1A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 27mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 655 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.6W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SuperSOT™-6
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

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FDD86326
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$0 $/ピース
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ZVN4206AVSTZ
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IXTA3N110-TRL
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FQP3N30
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$0 $/ピース
IXFH40N50Q
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DMT6013LFDF-7
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$0 $/ピース

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