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FDC8886

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6

FDC8886 データシート

compliant

FDC8886 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.17050 -
6,000 $0.15950 -
15,000 $0.14850 -
30,000 $0.14080 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.5A (Ta), 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 23mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 465 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.6W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SuperSOT™-6
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

PHT6N06T,135
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$0 $/ピース
IXKK85N60C
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$0 $/ピース
FQP2N50
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BUK7Y3R5-40HX
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NTBV45N06T4G
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DMG2301U-7
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$0 $/ピース
AOTF22N50
AOD5N50
NTLJS4159NT1G
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$0 $/ピース
IPP80R750P7XKSA1

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