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FDD1600N10ALZ

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252

compliant

FDD1600N10ALZ 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.34037 -
5,000 $0.31815 -
12,500 $0.30704 -
25,000 $0.30098 -
7303 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 160mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.8V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 3.61 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 225 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 14.9W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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BUK6D72-30EX
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SIDR390DP-T1-GE3
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PSMN5R0-30YL,115
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