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FDD3670

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 34A TO252

FDD3670 データシート

compliant

FDD3670 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $1.28961 -
5,000 $1.24458 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 34A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 32mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2490 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.8W (Ta), 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IXFA5N100P-TRL
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IRF3703PBF
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FCP150N65F
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RU1C002ZPTCL
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PJD6N10A_L2_00001

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