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FDD5680

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252

FDD5680 データシート

非準拠

FDD5680 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.60229 -
5,000 $0.57383 -
12,500 $0.55351 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8.5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 21mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1835 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.8W (Ta), 60W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

STL140N6F7
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NVMJS0D9N04CLTWG
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FKI10531
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NVMFS5C673NLWFAFT1G
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