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FDD6N20TM

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK

FDD6N20TM データシート

compliant

FDD6N20TM 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.33970 -
5,000 $0.31752 -
12,500 $0.30643 -
25,000 $0.30038 -
2160 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Last Time Buy
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 800mOhm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.1 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 230 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 40W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

EPC2032
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FDJ129P
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STD35NF06T4
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FQAF16N25
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NTR4171PT1G
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SIHA17N80E-E3
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NTE2397
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RTR020P02TL
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