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FDD850N10L

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK

非準拠

FDD850N10L 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.42070 -
5,000 $0.40083 -
12,500 $0.38663 -
25,000 $0.38457 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 15.7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 75mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 28.9 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1465 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 50W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

STB9NK50ZT4
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$0 $/ピース
SI7892BDP-T1-E3
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$0 $/ピース
BUK9516-75B,127
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$0 $/ピース
APT34M60S
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$0 $/ピース
IPZ65R095C7XKSA1
IPD95R1K2P7ATMA1
AUIRFL024NTR
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$0 $/ピース
BTS244ZE3043AKSA2
IPW60R280E6FKSA1

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