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FDD86102LZ

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK

compliant

FDD86102LZ 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.51019 -
5,000 $0.48609 -
12,500 $0.46887 -
8075 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 22.5mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1540 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta), 54W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

DMN6066SSS-13
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PSMN1R9-25YLC,115
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NVTFWS010N10MCLTAG
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$0 $/ピース
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