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FDG6322C

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onsemi

MOSFET N/P-CH 25V SC70-6

FDG6322C データシート

非準拠

FDG6322C 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.13576 -
6,000 $0.12753 -
15,000 $0.11931 -
30,000 $0.10943 -
75,000 $0.10532 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 25V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 220mA, 410mA
rds オン (最大) @ id、vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 0.4nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 9.5pF @ 10V
パワー - 最大 300mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ SC-88 (SC-70-6)
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