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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 20V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 3.8A, 2.6A |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 66mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| vgs(th) (最大) @ id | 1V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 4.2nC @ 4.5V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 300pF @ 10V |
| パワー - 最大 | 600mW |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 6-UFDFN Exposed Pad |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
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