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FDMQ8203

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onsemi

MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

FDMQ8203 データシート

非準拠

FDMQ8203 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $1.33000 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100V, 80V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.4A, 2.6A
rds オン (最大) @ id、vgs 110mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 5nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 210pF @ 50V
パワー - 最大 2.5W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 12-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ 12-MLP (5x4.5)
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関連部品番号

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