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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | 4 N-Channel (Half Bridge) |
FET機能 | Standard |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 100V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 3.1A |
rds オン (最大) @ id、vgs | 110mOhm @ 3A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 5nC @ 10V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 215pF @ 15V |
パワー - 最大 | 1.9W |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 12-WDFN Exposed Pad |
サプライヤーデバイスパッケージ | 12-MLP (5x4.5) |
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