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FDMS86200

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onsemi

MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN

FDMS86200 データシート

非準拠

FDMS86200 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.99495 -
6,000 $0.95810 -
24000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9.6A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 18mOhm @ 9.6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2715 pF @ 75 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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