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FDMS86202ET120

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onsemi

MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56

非準拠

FDMS86202ET120 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $2.17548 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 120 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 13.5A (Ta), 102A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4585 pF @ 60 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.3W (Ta), 187W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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