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FDMS86300

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN

FDMS86300 データシート

非準拠

FDMS86300 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $1.46475 -
6,000 $1.41360 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 19A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 8V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.9mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7082 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

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