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FDN028N20

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onsemi

MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3

FDN028N20 データシート

非準拠

FDN028N20 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.15925 -
6,000 $0.14897 -
15,000 $0.13870 -
30,000 $0.13151 -
75,000 $0.13076 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 600 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

R6020JNJGTL
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$0 $/ピース
SQJ460AEP-T1_BE3
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STP80NF10FP
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$0 $/ピース
IRFR4104TRLPBF
IRF7853TRPBF
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DMN3731UFB4-7B
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FDB8880
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TSM2305CX RFG
NTE490
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RM11N800T2
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