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FDN327N

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onsemi

MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3

FDN327N データシート

compliant

FDN327N 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.13685 -
6,000 $0.12856 -
15,000 $0.12026 -
30,000 $0.11031 -
75,000 $0.10616 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 70mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.3 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 423 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 500mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

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