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FDN5630

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3

FDN5630 データシート

非準拠

FDN5630 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.15652 -
6,000 $0.14642 -
15,000 $0.13632 -
30,000 $0.12925 -
75,000 $0.12852 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.7A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 100mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 400 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 500mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

STO33N60M6
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IXTQ50N20P
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$0 $/ピース
SIHP7N60E-E3
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