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FDS6900AS-G

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onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

非準拠

FDS6900AS-G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.9A, 8.2A
rds オン (最大) @ id、vgs 27mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 600pF @ 15V
パワー - 最大 900mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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