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FDS6912A

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onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

FDS6912A データシート

非準拠

FDS6912A 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.28342 -
5,000 $0.26492 -
12,500 $0.25566 -
25,000 $0.25062 -
1797 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A
rds オン (最大) @ id、vgs 28mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8.1nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 575pF @ 15V
パワー - 最大 900mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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