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FDT86106LZ

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MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4

非準拠

FDT86106LZ 価格と注文

単価 外貨価格
4,000 $0.52360 -
8,000 $0.49742 -
12,000 $0.47872 -
33842 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.2A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 108mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 315 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.2W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223-4
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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関連部品番号

R6511KND3TL1
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C3M0040120D
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FDC2512
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$0 $/ピース
IXTP75N10P
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RZM002P02T2L
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SI7439DP-T1-GE3
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NDS352P
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