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FDT86113LZ

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4

compliant

FDT86113LZ 価格と注文

単価 外貨価格
4,000 $0.31900 -
8,000 $0.29700 -
12,000 $0.28600 -
28,000 $0.28000 -
21081 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 100mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 315 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.2W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223-4
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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関連部品番号

HUF75545S3ST
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SI4434ADY-T1-GE3
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IXTH160N15T
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DN3145N8-G
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STP24N60M6
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BUK7526-100B,127
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NVMJS1D5N04CLTWG
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PSMN2R8-25MLC,115

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