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FQB4N80TM

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK

FQB4N80TM データシート

非準拠

FQB4N80TM 価格と注文

単価 外貨価格
800 $0.95321 $762.568
1,600 $0.86565 -
2,400 $0.81093 -
5,600 $0.77262 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 880 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.13W (Ta), 130W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

DMN3028L-13
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STW14NK50Z
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IXFX100N65X2
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SIDR570EP-T1-RE3
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PSMN8R7-100YSFX
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STP27N60M2-EP
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XP232N0301TR-G
FDP7030L
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