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FQB9N08LTM

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK

非準拠

FQB9N08LTM 価格と注文

単価 外貨価格
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9.3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 210mOhm @ 4.65A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.1 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 280 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.75W (Ta), 40W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

AO4427
SQD35N05-26L-GE3
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$0 $/ピース
SIE800DF-T1-E3
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AO4454
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IRLR7833CTRRPBF
STD30PF03L-1
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IRFR9210TRR
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$0 $/ピース
NTP60N06G
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LSIC1MO120G0120
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